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1.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
2.
基于i860的存储器子系统设计 总被引:1,自引:0,他引:1
微处理机系统中的存储器子系统设计对整个系统性能的高低有重要的影响,尤其当微处理器的主频越来越高时。本文结合实际例子,给出了一个基于i860处理器(40MHz)的主存设计方案,讨论了实际中需仔细考虑的因素。该设计可为其它高性能RISC系统设计提供参考。 相似文献
3.
电容检测纱线传感器转换特性对纱线不匀率测试的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
讨论了纱线测试中受电容检测纱线传感器转换特性的非线性影响,测得的条干不匀率值与纱线的实际条干不匀率值之间的差异,从理论上估计了纱线在不同的电容检测槽内测试时,由于其截面充满系数不同而引起的相对差异,并用试验数据加以验证。 相似文献
4.
李文军 《沙洲职业工学院学报》2006,(4)
忘记历史就意味着背叛,张抗抗在《集体记忆》中描写史志工作者在搜集史料时遇到了这种背叛现象,知情人有意无意地患上了“集体忘却”症。通过梳理此症的主要表现,即强占记忆与摧毁记忆,指出其社会文化政治因素在于建国以来的主流思想。 相似文献
5.
MEMORY·童年·印象--合肥市政务文化新区儿童公园概念性方案 总被引:1,自引:0,他引:1
合肥市政务文化新区儿童乐园的概念性方案,充分考虑了儿童的心理和成长交流需要,以儿童的自发活动为特色,兼顾各类活动设施,创造丰富活动空间,构筑了一个富有感染力、空间变幻多彩的都市儿童乐园. 相似文献
6.
7.
Flash存储器技术与应用 总被引:2,自引:0,他引:2
吴东坡 《微电子学与计算机》1998,15(6):55-56
本文主要介绍了Flash存储器的特性及其存储技术,并探讨了Flash存储器的应用领域。 相似文献
8.
SHIHongju SHIYongji 《半导体光子学与技术》1998,4(4):197-208,234
The liquid crystal televison spatia light modulator(LCTVSLM)characterized is usable in optical processing applications.e.g.,optical pattern recognition,associative memory,optical computing,correlation detection and optical data processing systems.The array performance and real-time optical correlation applications are reviewed. 相似文献
9.
《Drying Technology》2007,25(3):475-481
A method to minimize twist has been investigated; i.e., drying the boards in a pre-twisted position. It has been found that Norway spruce boards can be deformed toward straightness by this method. The force exerted by a board on its holders during drying in a pre-twisted position has been measured. When the variation in torsional stiffness as a function of temperature and moisture content is accounted for, it is found that a creep deformation of the board occurs both during the drying phase and the cooling phase. In addition to mechano-sorptive creep, a deformation released by a change in temperature also seems to occur. 相似文献
10.
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献