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1.
用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计 总被引:2,自引:0,他引:2
论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量. 相似文献
2.
3.
4.
用于单芯片系统的改进型WXGA LCoS成像器 总被引:1,自引:1,他引:0
WillemA.Sloof MmthewS.Brennesholtz 《现代显示》2004,(3):36-39
本文讨论用于单芯片时序混色的菲利浦DD-720硅基液晶(LCoS)片。这种芯片主要用于HDTV背投影机和多媒体系统。与菲利浦以前的单片LCoS设计相比,由于该芯片具有电接口接点较少、封装简单和温度传感器内置等许多特点,使其应用于投影系统时成本降低。 相似文献
5.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
6.
7.
8.
9.
本文设计了用于千兆以太网基带铜缆接收器均衡的甚高频自适应连续时间Gm-C二阶带通滤波器。基于最陡梯度下降算法,带通滤波器的零点在57-340MHz的频率范围内可以自适应地调节,中心频率为1.278GHz。通过外接电阻伺服环路,滤波器中跨导转换器的跨导值不受工艺偏差和温度变化的影响,采用CSMC-HJ0.6μm CMOS工艺器件模型,用Cadence Spectres仿真器仿真了设计的自适应滤波器电路,仿真结果验证了设计原理和设计的电路。系统的最长学习时间为880个参考时钟周期。 相似文献
10.
K. O. Boltar I. D. Burlakov A. M. Filachev E. A. Klimanov V. P. Ponomarenko V. N. Solyakov V. I. Stafeev 《Optical Memory & Neural Networks》2007,16(4):234-247
The recent researches and technological developments of middle and long wavelength infrared HgCdTe photovoltaic detectors
are presented. Structure, topology, design and performance of HgCdTe photodiodes, silicon readout electronics, Focal Plane
Arrays both staring and time delay and integration types, thermal imagers are discussed. Negative differential conductance,
bistability and high frequency oscillations under background infrared radiation in HgCdTe photodiodes are reported. 相似文献