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1.
回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。 相似文献
2.
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Sang‐Heung Lee Seung‐Yun Lee Hyun‐Cheol Bae Ja‐Yol Lee Sang‐Hoon Kim Bo Woo Kim Jin‐Yeong Kang 《ETRI Journal》2005,27(5):569-578
The purpose of this paper is to describe the implementation of monolithically matching circuits, interface circuits, and RF core circuits to the same substrate. We designed and fabricated on‐chip 1 to 6 GHz up‐conversion and 1 to 8 GHz down‐conversion mixers using a 0.8 µm SiGe hetero‐junction bipolar transistor (HBT) process technology. To fabricate a SiGe HBT, we used a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) system to grow a base epitaxial layer, and we adopted local oxidation of silicon (LOCOS) isolation to separate the device terminals. An up‐conversion mixer was implemented on‐chip using an intermediate frequency (IF) matching circuit, local oscillator (LO)/radio frequency (RF) wideband matching circuits, LO/IF input balun circuits, and an RF output balun circuit. The measured results of the fabricated up‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 6 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. Also, the down‐conversion mixer was implemented on‐chip using LO/RF wideband matching circuits, LO/RF input balun circuits, and an IF output balun circuit. The measured results of the fabricated down‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 8 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. 相似文献
6.
设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和. 相似文献
7.
采用表面效应集总模型综合考虑表面费米能级钉扎和表面复合效应,对AlGaAs/GaAsHBT表面效应的影响进行了二维数值模拟。结果表明,表面态的存在对集电极电流几乎不产生影响,但显著增加基极电流,使得电流增益明显下降。同时还发现在台面结构AIGaAs/GaAsHBT中外基区表面复合的集边效应,即外基区表面复合主要发生在发射极台面与外基区的交界处附近,与外基区长度基本无关。模拟还表明基区缓变结构可以减少表面复合,提高电流增益。 相似文献
8.
本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况,并依据这次国际会议所发表的论文,以GaAs、InP集成电路的技术路线为主线,介绍和评述了GaAs基PHEMT,HBT,MESFET以及InP基HEMT、HBT等集成电路的现状与发展。 相似文献
9.
提出一个新的MANET(mobile ad hoc network)中基于时限撤消具有自愈能力的组密钥分发方案,通过双向散列链DDHC(dual directional hash chains)和HBT(Hash binary tree)树结构实现了组密钥之间的冗余关联和访问控制;在没有管理节点协助的情况下,利用当前发布的会话密钥信息和自身秘密信息,合法用户节点可以自主恢复出历史组密钥;通过秘密撤消多项式实现了管理节点的撤消功能;接着,提出一个改进方案。安全性和性能分析表明,新方案能够抵御没有会话交集的用户节点同谋破解攻击;在满足MANET的安全需求前提下,有效地节省网络带宽和存储资源。 相似文献
10.
用于CDMA2000的射频功率放大器仿真实现 总被引:1,自引:0,他引:1
该文给出了一个适用于CMDA2000系统的射频功率放大器单片集成电路的实现。放大器采用了具有高线性度、高增益和高效率的砷化镓异质结双极型晶体管,包括驱动级和功率级两级。为了同时实现CDMA2000系统所要求的最大输出功率时的良好线性度和改善中等输出功率时的效率,使功率放大器工作在近乙类,并采用了自适应性无源基极电阻偏置技术来抑制由于近乙类工作造成的增益失真。考虑了寄生效应的后仿真结果表明。该功率放大器在1850MHz。码片速率为1.2288Mcps的混合移相键控调制信号的激励下,在CDMA2000系统要求的最大输出功率28dBm处PAE达到44.8%,增益为27.4dB,偏离中心频率1.25MHz处的ACPR为-47.9dBc。 相似文献