镧、铈掺杂对钛酸钡基介电陶瓷性能的影响

为了改善钛酸钡陶瓷的介电性能,采用溶胶凝胶法,制备了镧、铈掺杂的钛酸钡基介电陶瓷,研究了镧、铈2种稀土氧化物对其介电性能、耐压程度等性能的影响以及与显微结构的关系.实验表明:2种稀土元素对钛酸钡陶瓷的晶粒生长有较大的抑制作用,镧和铈的掺杂量在1.0%(物质的量分数)左右对钛酸钡陶瓷的介电性能有很好的改善作用.但镧离子和铈离子在钛酸钡中的离子取代情况有所不同,因而,改善性能的作用不同.镧掺杂钛酸钡陶瓷性能好于铈掺杂的钛酸钡陶瓷,掺杂物质的量分数为1.0%的镧掺杂钛酸钡陶瓷的相对介电常数大于4000,从室温到125℃温度范围内,介电常数的温度系数小于10%,击穿场强大于7.5kV/mm.     

热压烧结制备La混杂纳米复合AgSnO2电接触合金

利用化学共沉淀和热压烧结等方法制备出纳米复合Ag-SnO_2和La掺杂Ag-SnO_2触头合金,对合金触头进行物理性能测试、真空耐电压和电弧烧蚀实验,并利用冷场发射扫描电镜(FESEM)对电性能实验前后组织进行分析.结果发现:纳米复合AgSnO_2电接触合金保持了制粉时纳米SnO_2颗粒的形貌和粒度,尤其是含La掺杂的电接触材料,其氧化物粒度更细,分布更均匀.随氧化物粒度的减小,电接触材料的硬度和电阻率增加、耐电压强度降低、耐电弧烧蚀速率减小.     

La掺杂对AgSnO_2电接触合金阴极侵蚀区成分的影响

利用化学共沉淀、高能球磨技术及常压烧结等方法制备掺杂La元素的纳米复合AgSnO2电接触合金,对合金进行了模拟电弧侵蚀试验,通过冷场发射扫描电镜及其附带的X射线能谱仪分别对合金电弧侵蚀前后形貌和阴极侵蚀区的成分进行了观察和分析。结果发现,与无掺杂的纳米复合AgSnO2合金相比,La元素的加入,明显抑制了电弧侵蚀过程中Ag与SnO2富集区的产生。同时随掺杂元素含量的增加,银液的飞溅现象明显减少,电弧侵蚀从液态喷溅转变为以蒸发沉积为主,具有较好的耐电弧侵蚀特性。     

La掺杂纳米晶Ni-Zn铁氧体的制备及电磁性能

采用高分子凝胶法制备了Ni0.5Zn0.5LaxFe2-xO4（x=0,0.02,0.05和0.08）纳米晶铁氧体.采用X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）和HP8510网络分析仪分别对其结构、形貌和电磁性能进行了研究.结果表明,当x=0,0.02和0.05时,所得粉体为纯立方晶系尖晶石结构.Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉体平均粒径为70nm.随着La离子掺杂量的增加,红外光谱中550cm-1处吸收峰向高波数移动,420cm-1处吸收峰向低波数移动.La离子的掺杂对Ni-Zn铁氧体的电磁性能有一定的影响.在X波段,与Ni0.5Zn0.5Fe2O4铁氧体相比,掺杂La的Ni-Zn铁氧体的tanδm值降低,tanδε值升高.Ni0.5Zn0.5La0.02Fe1.98O4铁氧体的tanδε平均值为0.616.     

Thermoelectric La-doped SrTiO3 epitaxial layers with single-crystal quality: from nano to micrometers

Abstract

High-quality thermoelectric La_0.2Sr_0.8TiO₃ (LSTO) films, with thicknesses ranging from 20 nm to 0.7 μm, have been epitaxially grown on SrTiO₃(001) substrates by enhanced solid-source oxide molecular-beam epitaxy. All films are atomically flat (with rms roughness < 0.2 nm), with low mosaicity (<0.1°), and present very low electrical resistivity (<5 × 10^?4 Ω cm at room temperature), one order of magnitude lower than standard commercial Nb-doped SrTiO₃ single-crystalline substrate. The conservation of transport properties within this thickness range has been confirmed by thermoelectric measurements where Seebeck coefficients of approximately –60 μV/K have been recorded for all films. These LSTO films can be integrated on Si for non-volatile memory structures or opto-microelectronic devices, functioning as transparent conductors or thermoelectric elements.     

Hydrophilic and photocatalytic performances of lanthanum doped titanium dioxide thin films

Pure and La-doped TiO2 thin films were prepared on glass by sol-gel method using tetrabutyl titanate as Ti precursors. Their chemical composition, structure and properties were characterized by X-ray d...     

La掺杂铌酸钾的水热合成及其光催化性能研究

以氢氧化钾、氧化铌和硝酸镧为原料,采用水热法合成了结晶度高、掺杂不同含量的稀土La的K4Nb6O17纳米片状材料。借助XRD、SEM-EDX和Raman等技术手段对催化剂进行了表征。研究结果表明,La的掺杂并未改变催化剂材料的晶体结构,La/Nb摩尔比为0.5%的铌酸钾具有最佳的光催化活性,对以有机染料罗丹明为目标降解物的反应具有高效的光催化降解性能。在36 W紫外灯作用下,30 mg催化剂可以在80 min内实现对100 mL的罗丹明溶液(20 mg/L)的快速降解。     

La掺杂混晶TiO2薄膜的制备及光催化活性

为提高TiO2的光催化降解性能,达到利用光能降解环境污染物的目的,对TiO2光催化剂进行了掺杂改性研究.通过在氟钛酸铵、硼酸混合溶液中加入硝酸镧,应用液相沉积法(LPD)制备了掺镧TiO2复合薄膜.采用XRD、UV-Vis、XPS、SEM等手段对TiO2薄膜的组成、结构和表面形貌进行了测试表征,并以甲基橙溶液的降解反应...     

Study on Ferroelectric and Dielectric Properties of La-Doped CaBi4Ti4O15-Based Ceramics

Research on bismuthlayer structuredferroelectricceramics as piezoelectric material with high Curie tem-perature ,strong anisotropic characters ,lowdielectricdissipationfactor and lowaging rate has attracted in-creasing interest[1,2].It can be used to manu…     

镧掺杂PZN-PZT陶瓷及其PVDF压电复合材料的制备与性能

采用固相烧结法合成了不同镧掺杂量的PZN-PZT压电陶瓷和粉体．并用XRD分析了陶瓷的晶相，扫描电镜观察到PZN-PZT陶瓷粉体形态不太规整，颗粒粒径主要分布在1～4μm之间．将PZN-PZT粒子均匀分散于PVDF基体中，制备了PZN-PZT/PVDF压电复合材料．研究了镧掺杂量对PZN-PZT陶瓷及复合材料压电性能的影响．结果表明，适量的镧掺杂可有效提高复合材料的压电性能，当镧掺杂量为4％（摩尔分数）时，复合材料的压电性能最好，压电常数d33值为36pC/N。