微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓＩＣＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。     

X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器

报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。     

2～12GHz GaAs单片行波放大器

报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。     

短毫米波和亚毫米波接收机的发展现状

本文概述了短毫米和亚毫米波接收机的发展现状，介绍了接收机的重要组成部件：混频器、振荡器和放大器的发展水平以及毫米波单片集成电路的现状，给出了接收机的最新性能指标。     

High power GaN‐HEMT SPDT switches for microwave applications

In this article, the design, fabrication, and on‐wafer test of X‐Band and 2–18 GHz wideband high‐power SPDT MMIC switches in AlGaN/GaN technology are presented. The switches have demonstrated state‐of‐the‐art performance and RF fabrication yield better than 65%. Linear and power measurements for different control voltages have been reported and an explanation of the dependence of the power performances on the control voltage is given. In particular, the X‐band switch exhibits a 0.4 dB compression level at 10 GHz when driven by a 38 dBm input signal. The wideband switch shows a compression level of 1 dB at an input drive higher than 38 dBm across the entire bandwidth. © 2009 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2009.     

Bias‐dependent small‐signal monolithic PIN diode modeling

This paper details a new bias‐dependant small‐signal modeling methodology for monolithic PIN diodes. The frequency‐dependent responses of intrinsic p‐i‐n structures are de‐embedded from monolithic microwave integrated circuit PIN diodes of varying size and layout configuration and fit from 6 to 45 GHz to a classical linear model at each of 15 different bias levels. This methodology results in a bias‐dependent intrinsic diode data set that shows excellent agreement with large samples of small‐signal measurements. The models are useful for comparing trade‐offs in electrical performance among PIN diodes of varying size and layout style. © 2001 John Wiley & Sons, Inc. Int J RF and Microwave CAE 11: 396–403, 2001.     

C波段单片低功耗低噪声放大器

报道了一种新型的C波段 0 .5μmPHEMT单片低功耗低噪声放大器。该放大器由三级级联构成 ,采用电流回收技术 ,实现了低功耗的目的。芯片面积为 2 .1× 1 .8mm2 ,直流功耗为 1 2 5mW (VD=5V ,ID≤ 2 5mA)。封装后测试结果为 :在C波段 ,带宽 1 .1GHz,增益 >2 5 .7dB ,增益平坦度≤± 0 .6dB ,噪声系数≤ 1 .72dB ,输入、输出电压驻波 <2∶1 ;带内最小噪声系数为 1 .61dB ,相关增益为 2 6 .3dB。测量结果与设计符合得较好。     

新型波导-微带对脊鳍线过渡设计

介绍了一种新型的宽带波导-微带对脊鳍线过渡设计。它利用对脊鳍线自身结构的调整,就可以对频带内谐振频率产生抑制作用,不需外加任何谐振抑制结构或金属孤岛,减少了设计和制造的复杂性。这种紧凑的过渡模型不仅结构简单、尺寸短小,而且可以在宽频带范围内实现较低的插入损耗和回波损耗,方便工程上的应用。对实验样品的测试表明,在Ka全频段内其插入损耗小于0.8 dB。     

低噪声放大器的集成设计及测试

根据低噪声放大器的设计原理、结合南京电子器件研究所提供的器件模型,设计了S波段单片低噪声放大器,并在该所的砷化镓(GaAs)工艺线上流片生产,最后进行了测试.在2.2～2.8 GHz,增益大于21 dB,噪声系数小于1.95 dB,输入、输出驻波比小于1.45,在2.5 GHz处1 dB压缩输出功率大于11 dBm.测试结果表明,该电路易于集成、性能可靠,但驻波比还有待改善.     

基于GaAs MMIC工艺的单片均衡器设计

幅度均衡器被广泛应用于各类微波组件,是其重要的组成部分。对定阻型的幅度均衡器设计进行分析,利用Ga As MMIC标准工艺制作了一款22~32 GHz单片幅度均衡器,该芯片尺寸为0.8 mm×0.7 mm×0.1 mm。经装架测试,在工作频段实现5 d B的负斜率幅度均衡量,驻波良好,插损2.53 d B@32 GHz,基本实现了设计目标。