Compiler compatible 5.66 Mb/mm2 8T 1R1W register file in 14 nm FinFET technology

1-read/1-write (1R1W) register file (RF) is a popular memory configuration in modern feature rich SoCs requiring significant amount of embedded memory. A memory compiler is constructed using the 8T RF bitcell spanning a range of instances from 32 b to 72 Kb. An 8T low-leakage bitcell of 0.106 μm² is used in a 14 nm FinFET technology with a 70 nm contacted gate pitch for high-density (HD) two-port (TP) RF memory compiler which achieves 5.66 Mb/mm² array density for a 72 Kb array which is the highest reported density in 14 nm FinFET technology. The density improvement is achieved by using techniques such as leaf-cell optimization (eliminating transistors), better architectural planning, top level connectivity through leaf-cell abutment and minimizing the number of unique leaf-cells. These techniques are fully compatible with memory compiler usage over the required span. Leakage power is minimized by using power-switches without degrading the density mentioned above. Self-induced supply voltage collapse technique is applied for write and a four stack static keeper is used for read Vmin improvement. Fabricated test chips using 14 nm process have demonstrated 2.33 GHz performance at 1.1 V/25 °C operation. Overall V_min of 550 mV is achieved with this design at 25 °C. The inbuilt power-switch improves leakage power by 12x in simulation. Approximately 8% die area of a leading 14 nm SoC in commercialization is occupied by these compiled RF instances.     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

基于i860的存储器子系统设计

微处理机系统中的存储器子系统设计对整个系统性能的高低有重要的影响，尤其当微处理器的主频越来越高时。本文结合实际例子，给出了一个基于ｉ８６０处理器（４０ＭＨｚ）的主存设计方案，讨论了实际中需仔细考虑的因素。该设计可为其它高性能ＲＩＳＣ系统设计提供参考。     

时效和重新训练对Cu－Zn－Al合金组织与记忆性能的影响

用约束训练法对时效后的Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ形状记忆合金进行了重新训练。结果表明，在未发生贝氏体转变的条件下，时效所导致的记忆衰减可以通过重新训练予以改善。透射电镜分析指出，重新训练后，发生了马氏体的再取向，因时效而导致的细条状、台阶状变体大部分消除，且变体间的结合方式变为自协作性良好的孪晶关系，从而改善了合金的记忆性能。     

电容检测纱线传感器转换特性对纱线不匀率测试的影响

讨论了纱线测试中受电容检测纱线传感器转换特性的非线性影响，测得的条干不匀率值与纱线的实际条干不匀率值之间的差异，从理论上估计了纱线在不同的电容检测槽内测试时，由于其截面充满系数不同而引起的相对差异，并用试验数据加以验证。     

铁电存储器FM3808在TMS320VC5402系统中的应用

FM3808是Ramtron公司生产的新型超低功耗非易失铁电存储器，该器件可支持对存储区的高速读写，并可进行近乎无限次的写入。FM3808内部除具有256kB的存储阵列外还集成了实时时钟和系统监控模块，因而功能十分强大。文中介绍了FM3808的性能特点、内部结构和工作原理，分析了TMS320VC5402 DSP的并行引导装载模式。给出了DSP与FM3808组成的并行引导接口方案。     

读张抗抗《集体记忆》有感

忘记历史就意味着背叛,张抗抗在《集体记忆》中描写史志工作者在搜集史料时遇到了这种背叛现象,知情人有意无意地患上了“集体忘却”症。通过梳理此症的主要表现,即强占记忆与摧毁记忆,指出其社会文化政治因素在于建国以来的主流思想。     

MEMORY·童年·印象--合肥市政务文化新区儿童公园概念性方案

合肥市政务文化新区儿童乐园的概念性方案,充分考虑了儿童的心理和成长交流需要,以儿童的自发活动为特色,兼顾各类活动设施,创造丰富活动空间,构筑了一个富有感染力、空间变幻多彩的都市儿童乐园.     

Flash存储器技术与应用

本文主要介绍了Ｆｌａｓｈ存储器的特性及其存储技术，并探讨了Ｆｌａｓｈ存储器的应用领域。