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本文介绍了“PLL_A01”锁相环IP芯片,给出了Synopsys NanoSim(混合信号仿真)以及Star-RCXT(RC参数提取)的晶体管级后仿真流程,详细描述了一些基于PLL_A01的设计经验,给出了设计前/后仿真的输出频率结果。 相似文献
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为了满足日益复杂的设计中极具挑战性的进度要求,工程师们需要一种RTL综合解决方案,使他们尽量减少重复工作并加速物理实现进程.为了应对这些挑战,新思科技(Synopsys)宣布在其Galaxy设计实现平台中推出了创新RTL综合工具Design Compiler 2010,将综合和物理层流程实现两倍增速. 相似文献
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由于工艺的偏差主导了大部分器件的长度和宽度,所以这种偏差在更先进的工艺节点上尤其重要。传统的片上偏差(on-chip variation,OCV)已经使用了一个下降因子(derating factor)在所有的时序路径上,去模仿工艺变化,这样对于增加工艺偏差来说太悲观了。对比与传统的片上偏差,先进的片上偏差(Advanced OCV,AOCV)在不同的时序路径上给出了不同的下降因子。这样就可以减轻由于下降和减少过度设计和时序收敛周期而引起的过度悲观。这篇文章中我们介绍了一种创新的AOCV芯片设计流程,包括AOCV表格生成,执行和si gn-of f阶段。在AOCV表格生成中,我们重点介绍如何选择设计相关的工艺偏差参数。执行相关的AOCV表格可以加快转换周期,而且EDA时序修改工具能支持AOCV表格。在sign-of f阶段,我们对比了Synopsys Primetime基于路径分析AOCV的实验结果,表明误差在1%以内。 相似文献
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太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算 总被引:2,自引:2,他引:0
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性。计算结果和实验测量结果比较吻合。 相似文献
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新思科技(Synopsys)近日发布了新一代针对模拟/混合信号(AMS)和数字设计的完整解决方案——Discovery2009验证平台。通过在整个平台里采用新型多核仿真技术、本征设计检验和全面的低功耗验证技术,将能够提高验证速度,帮助工程师更快完成AMS和数字设计验证任务。 相似文献
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在半导体行业的大型跨国企业中,很难找到一个由中国大陆人担任领导决策层的企业,Synopsys公司全球副总裁兼亚太区总裁潘建岳是其中的一个例外。1995年,Synopsys公司建立中国代表处,潘建岳以团队第三人的角色开始搭建Synopsys中国。15年间,Synopsys在亚洲的发展,从中国最早的3人团队,成长为覆盖亚太区超过1500名员工的规模; 相似文献
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经历过动荡的2008年,各家分析机构都以“艰难”和“低迷”等词汇来预测EDA行业的走势。几大主要的EDA工具提供商纷纷遇到了或大或小的问题,而Synopsys公司却在这种市场环境下更加活跃,表现出其强劲的竞争力。Synopsys公司董事长兼首席执行官AartDeGeus日前走访中国时,阐述了该公司应对挑战和危机的发展策略。 相似文献