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1.
We have improved the electronic properties of narrow-bandgap (Tauc gap below 1.5 eV) amorphous-silicon germanium alloys (a-SiGe:H) grown by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD) by lowering the substrate temperature and deposition rate. Prior to this work, we were unable to grow a-SiGe:H alloys with bandgaps below 1.5 eV that had photo-to-dark conductivity ratios comparable with our plasma-enhanced CVD (PECVD) grown materials [B.P. Nelson et al., Mater. Res. Soc. Symp. 507 (1998) 447]. Decreasing the filament diameter from our standard configuration of 0.5 mm to 0.38 or 0.25 mm provides first big improvements in the photoresponse of these alloys. Lowering the substrate temperature from our previous optimal temperatures (Tsub starting at 435 °C) to at 250 °C provides additional photo-to-dark conductivity ratio increasing by two orders of magnitude for growth conditions containing 20–30% GeH4 in the gas phase (relative to the total GeH4+SiH4 flow). 相似文献
2.
3.
本文从应用出发,选择光学石英为衬底,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1—x薄膜,对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态,表面形貌随时间变化,最终为胞状;紫外—可见光光谱结果显示BPxN1—x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此,该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外,BPxN1—x薄膜与液晶层能较好匹配等特性更使其适用于紫外空间光调制器。 相似文献
4.
一种新型微带光子带隙结构的优化设计 总被引:2,自引:0,他引:2
本文对一种渐变尺寸的新型光子带隙结构进行了优化设计。根据优化后得出的最优结构参数 ,设计出PBG结构。实验结果证明 ,这种优化后的新型结构可以在保持阻带抑制幅度的同时减小通带内的波纹 相似文献
5.
In order to meet the requirements of different applications and markets for the accuracy and reliability of IoT chips,a low temperature coefficient bandgap reference with a wide temperature range is proposed.On the basis of the traditional Banba bandgap reference structure,the circuit utilizes high-order temperature compensation technology and piecewise temperature compensation technology to improve the curvature of the output reference voltage.The temperature coefficient of the circuit is reduced.At the same time,the operating temperature range of the circuit is extended.The circuit performances are verified in the TSMC 180 nm CMOS process.Test results show that the temperature coefficient of the circuit is as low as 7.2×10-6/℃ in the range of-40 ℃ to 160 ℃.The power supply rejection ratio at a low frequency is -48.52 dB.The static current under the 1.8 V power supply voltage is 68.38 μA,and the core area of the chip is 0.025 mm2. 相似文献
6.
溶胶-凝胶法制备掺镧钛酸钡薄膜及其光学性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以硝酸镧、醋酸钡、钛酸四丁酯为原料,采用溶胶一凝胶旋涂法制备掺La的钛酸钡薄膜,研究薄膜的晶体结构、表面形貌、紫外-可见光吸收性能及光学带隙。研究结果表明,纯钛酸钡和掺La钛酸钡薄膜均为单一四方钙钛矿结构,La3+的引入可以使钛酸钡薄膜在可见光区的透过率和光学带隙有一定程度下降,而退火温度对掺镧钛酸钡薄膜光学带隙基本无... 相似文献
7.
为了确保抑制高速电路中同步开关噪声(SSN)的微波光子晶体(EBG)结构在兼顾带隙特性的同时,还具有良好的信号完整性,采用枝条绕转单元贴片的方法设计出一种新型EBG结构。利用HFSS软件对新型EBG结构抑制SSN的特性进行建模仿真,并制备刻蚀有新型EBG结构的4层印制电路板,用安捷伦矢量网络分析仪对其禁带特性进行测试,实验结果与仿真结果吻合良好。通过眼图对新型EBG结构进行的仿真分析显示,新结构的信号完整性良好。 相似文献
8.
Dongsheng Xie Yue Zhang Xiyue Yuan Youle Li Fei Huang Yong Cao Chunhui Duan 《Advanced functional materials》2023,33(11):2212601
Semitransparent organic solar cells (ST-OSCs) have attracted increasing attention due to their promising prospect in building-integrated photovoltaics. Generally, efficient ST-OSCs with good average visible transmittance (AVT) can be realized by developing active layer materials with light absorption far from the visible light range. Herein, the development of ultrawide bandgap polymer donors with near-ultraviolet absorption, paired with near-infrared acceptors, is proposed to achieve high-performance ST-OSCs. The key points for the design of ultrawide bandgap polymers include constructing donor–donor type conjugated skeleton, suppressing the quinoidal resonance effect, and minimizing the twist of conjugated skeleton via noncovalent conformational locks. As a proof of concept, a polymer named PBOF with an optical bandgap of 2.20 eV is synthesized, which exhibited largely reduced overlap with the human eye photopic response spectrum and afforded a power conversion efficiency (PCE) of 16.40% in opaque device. As a result, ST-OSCs with a PCE over 10% and an AVT over 30% are achieved without optical modulation. Moreover, colorful ST-OSCs with visual aesthetics can be achieved by tuning the donor/acceptor weight ratio in active layer benefiting from the ultrawide bandgap nature of PBOF. This study demonstrates the great potential of ultrawide bandgap polymers for efficient colorful ST-OSCs. 相似文献
9.
10.