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1.
对CFG桩质量缺陷的探讨   总被引:2,自引:2,他引:0  
张维  吕晶 《山西建筑》2006,32(1):127-129
根据具体工程的概况及水文地质条件,分析了CFG桩在地下水位出现大面积缩颈现象和复合地基载荷试验达不到设计要求的原因,并介绍了地基补强措施,以满足工程质量的要求。  相似文献   
2.
南阳原油中金属含量较高,掺有部分3次采油采出原油,加工时易造成电脱盐装置原油乳化,电导率高,脱盐难度较大。装置投产十几年来脱后含盐一直不合格,经过改造仍然超标,常压塔顶腐蚀严重。为此,对原油进行了电脱盐工艺条件及破乳剂研究,研制出了高效电脱盐设备和生物复合脱盐剂及降电流剂,采用平流弓形电极进行改造,解决了该原油的电脱盐问题,使脱后含盐达到3 mg/L。  相似文献   
3.
一种语音混沌保密通信方案的研究与硬件实现   总被引:7,自引:0,他引:7  
禹思敏  丘水生 《通信学报》2002,23(8):105-112
在硬件实验研究的基础上,建立一种环形蔡氏电路,提出用环蔡氏电路实现语音混沌保密通信的一种闭环逆系统方案,其特点是利用环形蔡氏电路的单向耦合原理,通过反馈的方法形成一个包括有用信号在内的极联闭合环路,从而实现改善端与接收端之间混沌系统的严格同步而不受有用信息调制的影响。理论分析与硬件实验结果证明,该方案同现有的其它混沌通信方案相比较,具有非线性失真小、保真度高的优点,完全能够满足传送语音信号的要求。  相似文献   
4.
研究了用固体润滑石墨、碳化硅、二硫化钼等填料改性的聚苯硫醚 (PPS)涂层的耐磨性能。实验结果表明 ,聚苯硫醚复合涂层具有优良的耐磨性 ;加入适量 ( 3 0 % )的石墨、碳化硅等固体润滑剂 (石墨 :碳化硅 =2∶3 ) ,可以有效提高涂层的耐磨性能 ,而二硫化钼和三氧化二铬的减摩效果更佳  相似文献   
5.
李彤魏福祥  伊丽丽 《功能材料》2007,38(A10):3962-3966
综述了近年来超分子主体化合物在分析化学领域的应用研究与进展。分别以冠醚、环糊精、杯芳烃、卟啉4类超分子为主体功能化合物的研究进行了详细的评述,并对这几类主体化合物在分析化学中的应用研究进行了展望。  相似文献   
6.
提出一种金属圆锥弹簧与橡胶圆锥弹簧复合而成的弹簧.分析表明:它可以应用于弹性耦合激励振动筛和座式直线振动筛。  相似文献   
7.
在前人研究的基础之上,归纳总结了聚合物复合材料填充剂的种类,综述了对其进行表面改性的目的、条件、方法、工艺以及对改性结果的表征等。文章还分析了影响填充聚合物复合材料性能的因素,指出了今后发展的方向。  相似文献   
8.
1 IntroductionSince 1 990 ,chaoticsynchronization[1~ 4] andchaoticcontrolling[5~6] havereceivedagreatdealofattention[7~1 1 ] ,andchaoticsynchronizationisaphenomenonofinterestinfieldsfromelectronicstocommunication[1 2 ] ,andfrombiophysicstoneuro science[1 3] .Ifchaoticsync…  相似文献   
9.
High speedsteel (HSS) ,ischaracterizedbyex cellenthardness ,wearresistance ,and goodredhardness .Recently ,HSSisappliedtomanufacturehotrollingrollstoproducestripsofgoodshapeandsmallcrownwithextendedrollservicelife[1,2 ] .TheHSSisappliedtomanufacturerollcollarfor…  相似文献   
10.
In this paper, we present the theory for calculating Raman line shapes as functions of the Fermi energy and finite temperatures in zinc blende, n-type GaAs for donor densities between 1016 cm−3 and 1019 cm−3. Compared to other theories, this theory is unique in two respects: 1) the many-body effects are treated self-consistently and 2) the theory is valid at room temperature for arbitrary values of the ratio R = (Q2/α), where Q is the magnitude of the normalized wave vector and α is the normalized frequency used in the Raman measurements. These calculations solve the charge neutrality equation self-consistently for a two-band model of GaAs at 300 K that includes the effects of high carrier concentrations and dopant densities on the perturbed densities of states used to calculate the Fermi energy as a function of temperature. The results are then applied to obtain the carrier concentrations from Fermi energies in the context of line shapes in Raman spectra due to the coupling between longitudinal optical phonons and plasmons. Raman measurements have been proposed as a non-destructive method for wafer acceptance tests of carrier density in semiconductor epilayers. The interpretation of Raman spectra to determine the majority electron density in n-type semiconductors requires an interdisciplinary effort involving experiments, theory, and computer-based simulations and visualizations of the theoretical calculations.  相似文献   
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