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1.
Korolev I. A. Alekseenko N. N. Porodnov B. T. Sapunov V. A. Savel'ev D. V. 《Measurement Techniques》2003,46(9):865-871
The design of a sylphon bellows sensor and the basic circuits of an LC-generator and of a microprocessor unit are presented. An analytical pressure–frequency conversion function and a special method of adjusting the sensor ensure an error of less than 0.05%. The dynamic range is up to 105. The instruments developed cover the ranges 103, 104, and 105 Pa. 相似文献
2.
MPTA型原油脱金属剂的工业应用 总被引:2,自引:2,他引:0
在对高金属含量原油进行初步评价的基础上,利用SH—Ⅰ型电脱盐试验仪对自主开发的MPTA型原油脱金属剂进行了原油脱金属的实验室研究。结果表明,当MPTA型脱金属剂加入量为250μg/g时,钙的脱除率可达97.4%,并且对其它金属元素,如镍、铁、钠、锰、铝和钒也有明显的脱除效果。该剂在山东恒源石油化工股份有限公司重交沥青车间500kt/a的电脱盐装置上进行原油脱金属工业试验的结果表明,经过二级电脱盐处理后,钙的脱除率达到99.1%,钠的脱除率为94.6%,铁的脱除率为82.9%,并可在一定程度上降低原油中镍和铜的含量。使用MPTA型原油脱金属剂显著降低了一、二级电脱盐装置的电场电流,有利于炼油厂的节能降耗。 相似文献
3.
4.
钻井参数仪的模块化设计方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
文章以模块化设计原理为基础,讨论了钻井参数仪的模块划分,模块化设计准则和主要设计内容。采用模块化设计方法、现场设备网络的开放网络和现场总线解决方案设计的钻井参数仪,具有传输信号稳定、可靠性高、抑制噪声能力强、组建现场网络成本低等特点。 相似文献
5.
6.
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
7.
8.
M. Polák M. Majoro F. Hanic J. Pitel M. Kedrová P. Kottman J. Talapa L. Vencel 《Journal of Superconductivity》1989,2(2):219-233
A method for contactless measurement of the shielding critical current density and its dependence on the external magnetic field is described and analyzed. The obtained values are compared with those measured resistively on two different samples. It is shown that the shielding critical current densityJ
cs
and the intergranular transport current densityJ
cr
are identical if the measurement conditions are similar. A degradation ofJ
cs
measured in the external field with AC ripple has been observed. 相似文献
9.
10.
I.H. Song 《Thin solid films》2007,515(19):7598-7602
This paper is a report on the effect of a single perpendicular grain boundary on the hot-carrier and high current stability in high performance polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs). Under a hot carrier stress condition (Vg = Vth + 1 V, Vd = 12 V), the poly-Si TFT with a single grain boundary is superior to the poly-Si without any grain boundary because of the smaller free carriers available for electric conduction. The shift of transconductance in poly-Si TFT with a single grain boundary is less than 5% after hot carrier stress during a period of 1000 s. The shift of transconductance is about 25% in the case of the poly-Si TFTs without a grain boundary in the channel. On high current stress, the poly-Si TFT without the grain boundary is less degraded than the poly-Si TFT with the grain boundary because the concentrated electric field near the drain junction is lower. 相似文献