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A. Nakano T. Shimazaki M. Sekiya H. Shiozawa K. Ohtsuka A. Aoyagi T. Iwakiri Z. Mikami M. Sato Y. Sugino K. Kinoshita T. Matsuoka T. Imamura Y. Takayama K. Yamamoto 《International Journal of Hydrogen Energy》2021,46(29):15649-15659
Monitoring the temperature in liquid hydrogen (LH2) storage tanks on ships is important for the safety of maritime navigation. In addition, accurate temperature measurement is also required for commercial transactions. Temperature and pressure define the density of liquid hydrogen, which is directly linked to trading interests. In this study, we developed and tested a liquid hydrogen temperature monitoring system that uses platinum resistance sensors with a nominal electrical resistance of approximately 1000 Ω at room temperature, PT-1000, for marine applications. The temperature measurements were carried out using a newly developed temperature monitoring system under different pressure conditions. The measured values are compared with a calibrated reference PT-1000 resistance thermometer. We confirm a measurement accuracy of ±50 mK in a pressure range of 0.1 MPa–0.5 MPa. 相似文献
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在社会转型期,面对日益激烈的市场竞争环境,如何制定民办高效发战战略,引导民办高效的可持续发展,是关系到民办高校兴衰的关键。本文主要从民办高校品牌战略入手,对社会转型及高等教育转型进行论述,并对如何加强民办高校品牌建设进行探讨。 相似文献
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5.
电信宽带LAN接入网建设中的有关问题探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
文章介绍了采用以太网技术的宽带接入网,对目前以及网宽带接入网建设中存在的问题如安全、维护、投资和计费等进行了研究,提出了解决上述问题的建议。 相似文献
6.
应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大 相似文献
7.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
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9.
Colin Palmer 《International Journal of Project Management》1985,3(4):208-216
There are many ways in which quantitative decision models can be applied in project management. The introduction of a project evaluation review technique network model to the development of a school education service in the city of Delhi, India, is described. The reasons for choosing this method, its advantages and limitations are discussed. Examples of the information obtained from the model are presented and explained. 相似文献
10.
I.H. Song 《Thin solid films》2007,515(19):7598-7602
This paper is a report on the effect of a single perpendicular grain boundary on the hot-carrier and high current stability in high performance polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs). Under a hot carrier stress condition (Vg = Vth + 1 V, Vd = 12 V), the poly-Si TFT with a single grain boundary is superior to the poly-Si without any grain boundary because of the smaller free carriers available for electric conduction. The shift of transconductance in poly-Si TFT with a single grain boundary is less than 5% after hot carrier stress during a period of 1000 s. The shift of transconductance is about 25% in the case of the poly-Si TFTs without a grain boundary in the channel. On high current stress, the poly-Si TFT without the grain boundary is less degraded than the poly-Si TFT with the grain boundary because the concentrated electric field near the drain junction is lower. 相似文献