液态金属离子源发射尖的制备工艺与技术

发射尖是液态金属离子源(LMIS)的关键部件之一，其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。通过对系统软件和硬件的设计，开发了一套发射尖自动腐蚀装置，该装置可以对发射尖腐蚀过程中的速度和深度以及腐蚀电压进行控制，实现发射尖腐蚀工艺的重复性、可靠性，从而为液态金属离子源以及聚焦离子束系统的研制、开发提供了一个有效的辅助工具。     

磁浸没透镜的宽束曲轴像差分析的微分代数方法研究

微分代数是计算机数值分析领域中的一个非常有效的方法,可以实现任意高阶微分的准确计算.本文根据微分代数方法的基本原理,将其引入到磁浸没透镜的宽束曲轴像差的分析计算中,得到了任意阶曲轴像差的微分代数表达式.文中针对轴上磁场具有某种解析表达式的一个实际的磁浸没透镜系统,利用微分代数的曲轴像差分析方法,计算了它的曲轴像差,并给出了全部二阶和三阶几何像差的分布图形.     

黄河龙青段主要环境工程地质问题分析思路

介绍了黄河上游龙青段主要环境工程地质问题的分析思路，以达到抛砖引玉，交流和提高电工程地质勘测水平的目的。     

浸入凝胶法聚合物膜形成机理的研究现状

从热力学、传质动力学、相分离机制和固化过程几方面综述了浸入凝胶过程中聚合物膜形成机理的研究现状 .指出浸入凝胶成膜过程是传质交换和由传质交换引发的相分离以及其后的固化过程之间相互竞争的复杂非平衡过程 ,膜结构是上述几个过程竞争的结果     

Plasma immersion ion implantation for SOI synthesis: SIMOX and ion-cut

We have demonstrated feasibility to form silicon-on-insulator (SOI) substrates using plasma immersion ion implantation (PIII) for both separation by implantation of oxygen and ion-cut. This high throughput technique can substantially lower the high cost of SOI substrates due to the simpler implanter design as well as ease of maintenance. For separation by plasma implantation of oxygen wafers, secondary ion mass spectrometry analysis and cross-sectional transmission electron micrographs show continuous buried oxide formation under a single-crystal silicon overlayer with sharp Si/SiO₂ interfaces after oxygen plasma implantation and high-temperature (1300°C) annealing. Ion-cut SOI wafer fabrication technique is implemented for the first time using PIII. The hydrogen plasma can be optimized so that only one ion species is dominant in concentration and there are minimal effects by other residual ions on the ion-cut process. The physical mechanism of hydrogen induced silicon surface layer cleavage has been investigated. An ideal gas law model of the microcavity internal pressure combined with a two-dimensional finite element fracture mechanics model is used to approximate the fracture driving force which is sufficient to overcome the silicon fracture resistance.     

等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究

本文采用一种新型的等离子体浸没式离子注入 离子束增强沉积的技术(PIII IBAD),在Cr12MoV钢基体上制备出了TiN膜,对沉积膜的组织进行了光电子能谱分析,并对沉积膜进行了硬度检测、摩擦试验及磨痕形貌分析。试验结果表明,沉积膜中的组织为TiN、TiO2和Ti2O3,TiN膜具有高达Hv3200的高硬度和极其优良的摩擦性能。     

K—调和映射的稳定性

本广继[8]后讨论了K—调和映射的稳定性。作为其应用最后得出了当N具常数截面曲率时,稳定2、3—调和映射的几个不存在定理。     

20μm高灵敏浸没型碲镉汞红外探测器

报道了一种新型高灵敏浸没型ＨｇＣｄＴｅ红外探测器的研制，获得了Ｄ＾＊＝１．４６×１０＾１１ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，Ｒ＝６０８Ｖ／Ｗ，λｃ（２０％）－２０μ，灵敏元面积Ａ＝０．１２×０．１２ｍｍ＾２，和有效通光孔径ψ＝６ｍｍ的浸没型器件。     

用EGS4分析9MeV行波直线加速器屏蔽系统

采用了国际上广泛使用的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟计算程序ＥＧＳ４对海关集装箱检测系统用加速器屏蔽系统进行了辐射模拟分析，与实际测试数据进行分析、比较，解释了特殊剂量分布的原因，提出了系统改进的参考方案。