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过氧化聚吡咯分子印迹膜修饰电极对3,4-二羟基苯甲酸的测定 总被引:3,自引:0,他引:3
利用分子印迹技术,以3,4-二羟基苯甲酸(3,4-DHBA)作模板分子,通过循环伏安法电聚合吡咯.膜(PPy)和随后的定电位过氧化制备了3,4-DHBA-OPPy/GC分子印迹电极.该电极能有效地抑制电化学氧化过程中3,4-DHBA的聚合和同分异构体2,4-二羟基苯甲酸对其测定的干扰.实验结果表明,该修饰电极对3,4-DHBA测定的线性范围为1.0×10-5~1.6×10-3mol/L,检测限为5.0×10-6mol/L. 相似文献
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