激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析

分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型，给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN／Al2O3材料温度分布的解析形式，得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明，单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比，并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时，分界面的温度呈锯齿状不断升高。     

高分子纳米LB膜的制备及其光刻性能研究

合成并表征了N-十六烷基丙烯酰胺（HDA）和对叔丁基苯酚甲基丙烯酸酯（BPhMA）的共聚物p（HDA-BPhMA）s。当HDA含量较高时，共聚物可在气，液界面上形成稳定，排列紧密的单分子薄膜，并可以Y型膜的方式沉积在各种固体基片上，形成多层均匀的Langrnuir-Blodgett（LB）膜。这种LB膜被成功地应用于光刻，获得了分辨率为0.5μm的LB膜图形。以该图形为抗蚀层，可将图形进一步转移至金属薄膜上，得到分辨率较高的金属图形，在图形转移的过程中，这种LB膜显示出较高的抗蚀性，有望作为纳米抗蚀薄膜材料在亚微米刻蚀领域得到应用。     

光刻技术及其新进展

介绍了用于制作半导体集成电路的光刻工艺的概念、分类及发展过程，阐述了当前光刻工艺的主流，并重点介绍了极紫外光刻、X射线光刻、电子束光刻、离子束光刻、纳米图形转印等下一代光刻技术的特点及其面临的挑战。     

软X射线光刻研究现状和发展

新的一代光刻设备朝着两个方向发展 ,一是趋向于大数值孔径、短波长 ;另一方面国际上正在寻求适应二十一世纪、小于 0 .1 5微米线宽的软 X射线投影光刻技术 ,预计成为下世纪制造千兆位以上超大规模集成电路的主要设备。软 X射线光刻及其应用研究是目前国际上非常活跃的高技术领域。把软 X射线光刻列为重要发展项目。本文摘要综述德国、美国、日本、俄罗斯等国近年来在软 X射线光刻关键单元技术及整机研究和发展方面的概况、预计下世纪初美国和日本将有软 X射线投影光刻机投入工艺生产线     

GaN基LED与Si键合技术的研究

采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。     

电磁超声检测钢板厚度实验的参数优化

为提高电磁超声检测信号的信噪比,研究激励信号频率、脉宽及换能器提离距离对厚度测量结果的影响,搭建了电磁超声实验系统。该系统利用RITEC-SNAP 5000产生高能正弦波激励电磁超声换能器EMAT ( Electromagnetic Acoustic Trans-ducer),通过调节激励信号的频率、脉宽,改变提离距离来观测超声回波幅度的变化。实验结果表明：当激励频率和EMAT固有频率相同时其换能效率最高,采用6个周期的脉冲串时前后波包之间分界明显,为获得较大的回波幅度应尽可能减小提离距离。     

Nanoparticle-based lift-off technique for ultra-thin nanoporous film preparation

Ultra-thin membrane with nanoscale through hole has great potential in biomedical applications, where precise controllability of porosity, pore size and film thickness is urgently required. The present work proposed a cost-effective way to prepare the ultra-thin nanoporous film with a promising controllability. Monodispersed nanoparticle, rather than photoresist, is used as the sacrificial material for this new lift-off process. By releasing the particles, holes can be achieved with predeter-mined characters. A 110 nm-thick nanoporous aluminum film with well-controlled pore＇s diameter was successfully fabricated to validate the technique. The technique has wider process window and better applicability than other nanofabrication methods.     

数显涡流电导仪的研制

本文利用ANSYS软件通过涡流检测线圈阻抗的数值计算,表明涡流检测传感器相对于被测导体的提离效应在阻抗平面图上是近似为直线的轨迹,提出利用相位变换的方法实现提离干扰信号的抑制,并在此原理基础上,设计了以ARM9微处理器为核心的、基于幅相鉴别抑制提离效应的涡流电导仪硬件电路,并给出了系统的软件层次框架.最后对标准试块进行测量,分析了测量结果和提离抑制效果,为研制智能化数显涡流电导仪提供了良好的基础.     

The high‐speed measurement of a partial area imaging system applied to photoresist development processing

Abstract

Among the parameters that affect photolithography, the most important are exposure and development time which affect the coating photoresist characteristics. This study further researches the relationship between the exposure and development time using a high speed image inspection system, and the relationship between the development time and photoresist depth using a Scanning Probe Microscope (SPM). A partial scan CCD camera and high speed frame capture card were used to obtain the photoresist development processing parameters. The experimental results verified that this imaging system provides an economical and effective method for producing a micro‐photo‐etched product. It is expected that these experiments can also offer some good references useful in the micro electro mechanical industrial field.