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宽带集总元件X波段砷化镓场效应晶体管放大器
引用本文:R.S.Pengelly,赵克俊,谭昌业.宽带集总元件X波段砷化镓场效应晶体管放大器[J].微纳电子技术,1975(10).
作者姓名:R.S.Pengelly  赵克俊  谭昌业
摘    要:本文叙述了用砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管设计两级宽带X波段放大器。扼要地说明了放大器和内部器件的性能。放大器在6.5~12千兆赫频率范围有9.5±1分贝的增益。输入和输出的电压驻波比不超过2.5:1。所述实际宽带匹配网络使放大器总的噪声系数减到最小,并在整个设计带宽内保持恒定的增益,同时计算了寄生、损耗和不均匀电容的影响。

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