探测器级高纯硅单晶电阻率的四探针测试条件 |
| |
作者姓名: | 宿昌厚 姜玉香 |
| |
作者单位: | 261厂(宿昌厚),261厂(姜玉香) |
| |
摘 要: | 本文讨论用四探针方法测试高纯硅单晶电阻率的测准条件。一般认为,用四探针方法测量硅单晶电阻率的上限是3千欧姆厘米。实际上四探针技术的原理和国内外实践表明,用该方法测试更高的电阻率是完全可能的。关键是要严格遵循必要的测试条件。本文通过实验,分析了数千乃至上万欧姆厘米的高纯硅单晶电阻率测准条件,其中主要有1.表面处理;2.测试电流;3.探针直径;4.输入电阻,5.环境条件等。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|