| 淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响 |
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| 引用本文： | 林钰,辛荣生,贾晓林. 淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响[J]. 稀有金属, 2003, 27(4): 510-512 |
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| 作者姓名： | 林钰 辛荣生 贾晓林 |
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| 作者单位： | 1. 河南教育学院化学系,河南,郑州,450003
2. 郑州大学材料工程学院,河南,郑州,450052 |
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| 基金项目： | 河南省科技攻关项目 ( 0 0 10 90 2 10 ) |
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| 摘 要： | 在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜 ,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系 ,并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况。所镀制的ITO膜电阻率已降到 <2× 10 - 4Ω·cm ,可见光透过率达 80 %以上。
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| 关 键 词： | 半导体 ITO膜 磁控溅射 |
| 文章编号： | 0258-7076(2003)04-0510-03 |
| 修稿时间： | 2003-03-06 |
Influence of Substrate Temperature and Oxygen Content on Structure and Properties of ITO Films |
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| Lin Yu ,Xin Rongsheng ,Jia Xiaolin. Influence of Substrate Temperature and Oxygen Content on Structure and Properties of ITO Films[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2003, 27(4): 510-512 |
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| Authors: | Lin Yu Xin Rongsheng Jia Xiaolin |
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| Affiliation: | Lin Yu 1,Xin Rongsheng 2*,Jia Xiaolin 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor ITO film magnetron sputtering |
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