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淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响
引用本文:林钰,辛荣生,贾晓林. 淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响[J]. 稀有金属, 2003, 27(4): 510-512
作者姓名:林钰  辛荣生  贾晓林
作者单位:1. 河南教育学院化学系,河南,郑州,450003
2. 郑州大学材料工程学院,河南,郑州,450052
基金项目:河南省科技攻关项目 ( 0 0 10 90 2 10 )
摘    要:在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜 ,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系 ,并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况。所镀制的ITO膜电阻率已降到 <2× 10 - 4Ω·cm ,可见光透过率达 80 %以上。

关 键 词:半导体 ITO膜 磁控溅射
文章编号:0258-7076(2003)04-0510-03
修稿时间:2003-03-06

Influence of Substrate Temperature and Oxygen Content on Structure and Properties of ITO Films
Lin Yu ,Xin Rongsheng ,Jia Xiaolin. Influence of Substrate Temperature and Oxygen Content on Structure and Properties of ITO Films[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2003, 27(4): 510-512
Authors:Lin Yu   Xin Rongsheng   Jia Xiaolin
Affiliation:Lin Yu 1,Xin Rongsheng 2*,Jia Xiaolin 2
Abstract:
Keywords:semiconductor  ITO film  magnetron sputtering  
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