|
|||||
|
|
| 深紫外LED的外延技术进展 | |
| 引用本文： | 杨浩,杨鸿志,高涛,郭伟杰,覃国恒.深紫外LED的外延技术进展[J].中国照明电器,2022(7):1-5. |
| 作者姓名： | 杨浩 杨鸿志 高涛 郭伟杰 覃国恒 |
| 作者单位： | 1.厦门大学国家集成电路产教融合创新平台361005;2.开发晶照明(厦门)有限公司361115;3.厦门通士达照明有限公司361199; |
| 基金项目： | 福建省技术创新重点攻关及产业化项目(2022G050)；福建省科技经济融合服务平台。 |
| 摘 要： | 深紫外LED (UVC LED)是新型紫外线光源，可应用于病毒消杀、工业、通信等领域。近年来，AlGaN基UVC LED的外延技术取得了显著的发展，器件性能不断提升，展现出了良好的应用前景。本文综述了UVC LED外延技术的研究进展，主要介绍衬底、外延工艺与外延结构对UVC LED光电性能的影响。 |
| 关 键 词： | 深紫外 LED AlGaN 外延 量子阱 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |