一种低噪声C类LC压控振荡器的设计

为了改善压控振荡器相位噪声，基于40 nm CMOS工艺，设计一种低噪声C类LC压控振荡器。交叉耦合NMOS对管通过电流镜偏置作为电路的电流源，并采用共模反馈偏置电路使交叉耦合PMOS对管工作在饱和区，保证LC压控振荡器实现C类振荡。通过差分可变电容的设计，压控振荡器的增益减小，压控振荡器的相位噪声得到改善。设计了4组开关电容进行调节，增大压控振荡器的调谐范围。仿真结果表明，处于1.2 V的电压下，压控振荡器振荡频率范围在4.14～5.7 GHz，频率调谐范围变化率达到31.2%，相位噪声为-112.8 dBc/Hz。