| X射线分析温度对ITO膜结构与电性能的影响 |
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| 引用本文： | 周静,刘静.X射线分析温度对ITO膜结构与电性能的影响[J].武汉理工大学学报,2001,23(9):1-3. |
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| 作者姓名： | 周静 刘静 |
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| 作者单位： | 1. 武汉理工大学
2. 中国建材科学研究院 |
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| 摘 要： | 在不同温度基片上采用阴极磁控溅射法在玻璃上镀ITO透明导电膜，采用X射线衍射技术分析样品的结构随温度的变化情况，测量了样品的方块电阻、电阻率、霍尔迁移率、截流子浓度等电学性能和膜层的可见透过率。基片温度为180℃时，ITO膜（222）衍射峰很强，具有111]方向择优取向，随基片温度升高，（400）、（440）衍射峰增强，晶面随机取向增加，同时晶粒变大、电阻率降低。
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| 关 键 词： | ITO膜 X射线分析 温度 薄膜结构 电性能 铟锡氧化物薄膜 |
| 文章编号： | 1000-2405(2001)09-0001-03 |
| 修稿时间： | 2001年5月15日 |
The Effects of Substrate Temperature on the Structural and Electr ical Properties of ITO Films from X-ray Diffraction Techniques |
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| Zhou Jing Liu Jing School of Materials Science and Engineering,WUT,Wuhan ,China..The Effects of Substrate Temperature on the Structural and Electr ical Properties of ITO Films from X-ray Diffraction Techniques[J].Journal of Wuhan University of Technology,2001,23(9):1-3. |
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| Authors: | Zhou Jing Liu Jing School of Materials Science and Engineering WUT Wuhan China |
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| Affiliation: | Zhou Jing Liu Jing School of Materials Science and Engineering,WUT,Wuhan 430070,China. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ITO films magnetron sputtering substrate temperature |
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