| 摘 要： | 本文讨论了磁泡存贮器研制方面的两个主要领域,即努力提高位组装密度和提高存贮器的工作速度。文中指出了:按比例缩小现有芯片设计尺寸以提高密度的方法不仅要考虑到光刻和制造问题,而且也必须考虑到磁性材料问题。至少可以用三种不同芯片结构得到高密度芯片:1)采用T-棒图形的普通的坡莫合金棒外存贮器,它是用电子束光刻和单级掩模制成的;2)衔接盘外存贮器,它用比较粗糙的坡莫合金图形,因此对光刻的要求就松一些;3)泡点阵外存贮器,它采用的是具有新颖壁结构编码方案而密集排列的泡。三种方案的相对优点比较如下:坡莫合金外存贮器(PBF)研制时间最长,而且它是唯一使用单级掩模的结构;如果光刻不是限制因素的话,则衔接盘外存贮器(CDF)可以提供最高的密度;而如果小径泡的实现等能成为限制因素的话,则泡点阵外存贮器可提供最高的密度。讨论了决定泡存贮器工作速度的两个因素:泡的传输速度与存贮器的结构,以实现尽可能短的取数与等待时间。在确保泡具有高速度的泡材中的研制方面员在取得重大的进展;这一进展是在对泡运动时出现的壁结构的复杂变化的认识的基础上获得的。对于主次坏、用以降低取数时间和公用互连的电流重合法结构方案、电子线路均予以评述。对磁泡存贮器和半导体、磁盘的容量进行了简要的比较。
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