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| 硅外延程序控制仪 | |
| 作者单位： | 一○九厂一车间外延组 |
| 摘 要： | 一、硅外延程序控制仪的技术性能 硅的外延生长,多年来我们都是由人工进行操作的。例如:在将硅衬底片装入外延反应管之后,人工控制通入氢气的时间;操作高频炉升温加热;人工测量硅衬底片上的温度;当温度稳定并符合所需温度时,通入HCl气腐蚀硅片;关闭HCl气;而后通入SiCl_4进行外延生长;停高频炉;冷却。直至最后人工取出外延片止。在这样的工序中,操作人员除控制气体的流量外,还要在不同的情况下随时调节高频炉;控制气体流量开关;测量和调节衬底片的温度。这些工作要做得精确可靠,由二人操作也是很紧张的。特别是高频炉功率输出的波动,使外延温度很难保持不变。造成外延层厚度有较大的起伏, |
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