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| B+、As+离子注入工艺模拟模型的比较 | |
| 作者姓名： | 庞海舟 阮刚 杨文清 郑国祥 曹永明 |
| 作者单位： | 1. 上海先进半导体制造有限公司,上海,200233 2. 复旦大学,电子工程系,上海,200433 3. 复旦大学,材料科学系,上海,200433 |
| 摘 要： | 对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾，介绍了在ＳｕｐｒｅｍⅣ中采用的双Ｐｅａｒｓｏｎ分布模型。通过对Ｂ＾＋及Ａｓ＾＋在不同剂量和能量下对硅中的注入，采用ＳＩＭＳ进行浓度分布测试，对双Ｐｅａｒｓｏｎ模型作了评估。 |
| 关 键 词： | 半导体器件 离子注入工艺 B^＋ As^＋ |
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