| GaAsMMIC放大器单元微波参量特性研究 |
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| 引用本文： | 刘艳军 王庆康. GaAsMMIC放大器单元微波参量特性研究[J]. 微电子学, 1999, 29(4): 272-274 |
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| 作者姓名： | 刘艳军 王庆康 |
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| 作者单位： | 上海交通大学微电子技术研究所!上海200030 |
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| 摘 要： | 采用微波参量分析方法能有效地分析高速ＧａＡｓＩＣ在微波域内的频响特性。文中根据电路和工艺技术，给出了已报导的一种ＧａＡｓ放大器单元电路的一组特定参数，并进行了微波参量特性研究。
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| 关 键 词： | MMIC放大器 微波参量 S参数 砷化镓 |
A Study on the Characteristics of Microwave Parameters of GaAs MMIC Amplifiers |
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| LIU Yan jun,WANG Qing kang. A Study on the Characteristics of Microwave Parameters of GaAs MMIC Amplifiers[J]. Microelectronics, 1999, 29(4): 272-274 |
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| Authors: | LIU Yan jun WANG Qing kang |
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| Abstract: | A new method to analyze and design GaAs MMIC unit is described. The frequency response of high speed GaAs IC unit in microwave domain can be effectively analyzed by using the technique of microwave parameter analysis. A specific GaAs amplifier IC unit is investigated for its characteristics of microwave S parameter. |
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| Keywords: | GaAs IC MMIC Amplifier Microwave parameter S parameter |
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