| 高压高速SOI-LIGBT的研制 |
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| 引用本文： | 杨健,张正璠,李肇基,李学宁.高压高速SOI-LIGBT的研制[J].微电子学,1999,29(5):366-369. |
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| 作者姓名： | 杨健 张正璠 李肇基 李学宁 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,微电子所,四川成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家“九五”军事预研项目，国防基金项目 |
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| 摘 要： | 采用数值模拟分析了双降场层ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ击穿电压与ＳＯＩ层厚度和隔离ＳｉＯ２层厚度的关系，分析了阳极短路面积比对器件正向压降，关断时间和正向转折电压的影响，并利用硅直接链合技术研制出５８０Ｖ的阳极短路ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ，拳断时间２５０ｎｓ。
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| 关 键 词： | 横向绝缘棚 双极晶体管 智能功率IC SOI－LIGBT |
The Development of High Voltage/High Spe ed SOI-LIGBT |
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| YANG Jian,ZHANG Zhen-fan,LI Zhao-ji,LI Xue-ning.The Development of High Voltage/High Spe ed SOI-LIGBT[J].Microelectronics,1999,29(5):366-369. |
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| Authors: | YANG Jian ZHANG Zhen-fan LI Zhao-ji LI Xue-ning |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LIGBT Smart power integrated circuit(SPIC) Silicon on insulator(SOI) Silicon direct bonding(SDB) |
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