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| 一种高电源抑制比CMOS能源基准电压源 | |
| 作者姓名： | 刘韬 徐志伟 |
| 摘 要： | 介绍了一个采用０．６μｍ数字ＣＭＯＳ工艺制作的能隙基准电压源电路，该电路具有小的硅片面积（０．０６ｍｍ＾２）、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度电路的偏置系统时，还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路。 |
| 关 键 词： | 能隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 IC |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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