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热处理与元素掺杂对原位法MgB2/Fe/Cu超导线材临界电流密度的影响
引用本文:王庆阳,张平祥,李金山,阎果,卢亚锋.热处理与元素掺杂对原位法MgB2/Fe/Cu超导线材临界电流密度的影响[J].稀有金属材料与工程,2007,36(6):977-980.
作者姓名:王庆阳  张平祥  李金山  阎果  卢亚锋
作者单位:1. 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北有色金属研究院,陕西,西安,710016
2. 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北有色金属研究院,陕西,西安,710016;西部超导材料科技有限公司,陕西,西安,710016
3. 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072
4. 西北有色金属研究院,陕西,西安,710016
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金
摘    要:采用低碳钢作为外包套材料,通过原位法粉末装管工艺(in-situPIT)制备出高密度Ti、zr掺杂的MgB2/Fe/Cu线材。将线材短样在氩气保护条件下,于650-800℃烧结2~5h。MgB2线材的微结构分析显示,通过该工艺制备的MgB2/Fe/Cu线材比MgB2块材具有更好的晶粒连结性和更高的致密度。采用标准的四引线法,在4.2K,0~8T的磁场下测试线材的I临界电流密度。测试结果显示,800℃烧结的Mg0.9Zr0.1B2/Fe/Cu线材获得了最高的临界电流密度。

关 键 词:MgB2线材  原位粉末装管法  元素掺杂  临界电流密度
文章编号:1002-185X(2007)06-04-0977
修稿时间:2006-10-272007-01-26

Influence of Heat-Treatment and Element Doping on Critical Current Density of MgB2/Fe/Cu Wires Fabricated by in-Situ PIT Technique
Wang Qingyang,Zhang Pingxiang,Li Jinsan,Yan Guo,Lu Yafen.Influence of Heat-Treatment and Element Doping on Critical Current Density of MgB2/Fe/Cu Wires Fabricated by in-Situ PIT Technique[J].Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(6):977-980.
Authors:Wang Qingyang  Zhang Pingxiang  Li Jinsan  Yan Guo  Lu Yafen
Abstract:
Keywords:MgB2 wires  in-situ fabrication  element doping  critical current density
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