|
|||||
|
|
| 热处理与元素掺杂对原位法MgB2／Fe／Cu超导线材临界电流密度的影响 | |
| 引用本文： | 王庆阳 张平祥 李金山 阎果 卢亚锋. 热处理与元素掺杂对原位法MgB2／Fe／Cu超导线材临界电流密度的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2007, 36(6): 977-980 |
| 作者姓名： | 王庆阳 张平祥 李金山 阎果 卢亚锋 |
| 作者单位： | 1. 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北有色金属研究院,陕西,西安,710016 2. 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北有色金属研究院,陕西,西安,710016;西部超导材料科技有限公司,陕西,西安,710016 3. 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 4. 西北有色金属研究院,陕西,西安,710016 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 采用低碳钢作为外包套材料，通过原位法粉末装管工艺（in-situPIT）制备出高密度Ti、zr掺杂的MgB2／Fe／Cu线材。将线材短样在氩气保护条件下，于650-800℃烧结2～5h。MgB2线材的微结构分析显示，通过该工艺制备的MgB2／Fe／Cu线材比MgB2块材具有更好的晶粒连结性和更高的致密度。采用标准的四引线法，在4．2K，0～8T的磁场下测试线材的I临界电流密度。测试结果显示，800℃烧结的Mg0.9Zr0.1B2／Fe／Cu线材获得了最高的临界电流密度。 |
| 关 键 词： | MgB2线材 原位粉末装管法 元素掺杂 临界电流密度 |
| 文章编号： | 1002-185X（2007）06-04-0977 |
| 修稿时间： | 2006-10-272007-01-26 |
Influence of Heat-Treatment and Element Doping on Critical Current Density of MgB2/Fe/Cu Wires Fabricated by in-Situ PIT Technique |
|
| Wang Qingyang,Zhang Pingxiang,Li Jinsan,Yan Guo,Lu Yafen. Influence of Heat-Treatment and Element Doping on Critical Current Density of MgB2/Fe/Cu Wires Fabricated by in-Situ PIT Technique[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2007, 36(6): 977-980 | |
| Authors: | Wang Qingyang Zhang Pingxiang Li Jinsan Yan Guo Lu Yafen |
| Abstract: | |
| Keywords: | MgB2 wires in-situ fabrication element doping critical current density |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《稀有金属材料与工程》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《稀有金属材料与工程》下载全文 | |