| 中波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器 |
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| 引用本文： | 向伟,王国伟,徐应强,郝宏玥,蒋洞微,任正伟,贺振宏,牛智川. 中波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器[J]. 航空兵器, 2015, 0(1): 49-51 |
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| 作者姓名： | 向伟 王国伟 徐应强 郝宏玥 蒋洞微 任正伟 贺振宏 牛智川 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 航空科学基金资助项目(20122436001)；国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 由分子束外延生长的GaSb基的InAs/GaSb超晶格材料具有良好的均匀性,其在制作红外焦平面探测器方面有独特的优势。分别采用生长中断和表面迁移率增强的分子束外延法在GaSb衬底上生长了中波段InAs/GaSb超晶格红外探测器材料,对比表明对于中波超晶格材料,生长中断法优于表面迁移率增强法。利用标准工艺制作了中波红外PIN单元探测器,并制备了320×256的焦平面探测器芯片。
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| 关 键 词： | In As/Ga Sb超晶格 红外焦平面探测器 分子束外延 |
InAs/GaSb Superlattices Mid-Wavelength Infrared Focal Plane Array Detectors |
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| Xiang Wei,Wang Guowei,Xu Yingqiang,Hao Hongyue,Jiang Dongwei,Ren Zhengwei,He Zhenhong,Niu Zhichuan. InAs/GaSb Superlattices Mid-Wavelength Infrared Focal Plane Array Detectors[J]. Aero Weaponry, 2015, 0(1): 49-51 |
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| Authors: | Xiang Wei Wang Guowei Xu Yingqiang Hao Hongyue Jiang Dongwei Ren Zhengwei He Zhenhong Niu Zhichuan |
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| Affiliation: | Xiang Wei;Wang Guowei;Xu Yingqiang;Hao Hongyue;Jiang Dongwei;Ren Zhengwei;He Zhenhong;Niu Zhichuan;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InAs/GaSb superlattices infrared focal plane array detector molecular beam epitaxy |
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