| 硅压阻输出微传感器的1/f噪声 |
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| 引用本文： | 于晓梅,江兴流,J Thaysen,O Hansen,A Boisen. 硅压阻输出微传感器的1/f噪声[J]. 半导体学报, 2001, 22(9): 1182-1187 |
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| 作者姓名： | 于晓梅 江兴流 J Thaysen O Hansen A Boisen |
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| 作者单位： | [1]北京航空航天大学物理系，北京100083 [2]丹麦技术大学微电子中心 |
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| 基金项目： | 国家留学基金委留学基金;; |
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| 摘 要： | 从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声 .选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料 ,设计了 16种不同尺寸的力敏 Wheastone电桥 ,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火 ,共获得 2 5 6种压阻输出的微传感器 .测量所有器件的噪声 ,并对噪声谱进行理论分析 ,实验结果表明单晶硅具有最低的 1/ f 噪声和 Hooge因子 (α)的值 ,而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅 .几何尺寸大的力敏电阻具有低的 1/ f 噪声 ,但 α值不受器件尺寸的影响 .掺杂浓度增加 10倍时 ,不同器件的 1/ f 噪声降低介于35 %— 5 0 %之间 .
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| 关 键 词： | 悬臂梁 1/f噪声 压敏 Hooge因子 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)09-1182-06 |
| 修稿时间： | 2000-11-01 |
1/f Noise in Silicon-Based Piezoresistive Microsensor |
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| YU Xiao-mei,JIANG Xing-liu,J Thaysen,O Hansen and A Boisen. 1/f Noise in Silicon-Based Piezoresistive Microsensor[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(9): 1182-1187 |
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| Authors: | YU Xiao-mei JIANG Xing-liu J Thaysen O Hansen A Boisen |
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| Affiliation: | YU Xiao-mei1,JIANG Xing-liu1,J Thaysen2,O Hansen2 and A Boisen2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cantilever 1/f noise piezoresistive Hooge factor |
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