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2.5Gb/sGaAs激光器高速驱动电路
引用本文:王文君,田国平,廉亚光,郝景臣,王俊华,张降红,乔键. 2.5Gb/sGaAs激光器高速驱动电路[J]. 微纳电子技术, 1999, 0(3)
作者姓名:王文君  田国平  廉亚光  郝景臣  王俊华  张降红  乔键
作者单位:GaAs集成电路国家重点实验室
摘    要:研制出一种实用化的GaAs激光器高速驱动电路,该电路采用源耦合场效应管逻辑电路形式,0.8μm栅工艺,全离子注入平面工艺,单电源(-5.2V)供电。并给出了研究结果:最大驱动电流可达45mA,数据传输速率2.5Gb/s。

关 键 词:GaAs  激光器  驱动电路

25Gb/s GaAs Laser Diode Drive IC
Wang Wenjun,Tian Guoping,Lian Yaguang,Hao Jingchen,Wang Junhua,Zhang Jianghong,Qiao Jian. 25Gb/s GaAs Laser Diode Drive IC[J]. Micronanoelectronic Technology, 1999, 0(3)
Authors:Wang Wenjun  Tian Guoping  Lian Yaguang  Hao Jingchen  Wang Junhua  Zhang Jianghong  Qiao Jian
Abstract:A 25Gb/s GaAs laser diode driver IC is presented,which is implemented with source coupled field effect logic circuit configuration and 08m full ion implantation plane technology and by single52V power supply.This paper also reports the experimental results:the largest driver current 45mA at bit rates up to 25Gb/s.
Keywords:GaAsLaserDrive circuit  
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