| 高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作 |
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| 引用本文： | 冉启江,韩培德,全宇军,高利朋,曾凡平,赵春华. 高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作[J]. 半导体光电, 2009, 30(3) |
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| 作者姓名： | 冉启江 韩培德 全宇军 高利朋 曾凡平 赵春华 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金面上项目，国家重点基础研究发展规划(973计划) |
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| 摘 要： | 在SOI脊形波导上通过光刻的方法制作了高阶布拉格光栅.采用顶层Si厚为2μm的SOI基片,通过半导体芯片制备中的光刻工艺,在脊高为935 nm,波导宽度为2μm的脊形波导上,分别制作了刻蚀深度为565 nm和935 nm的起伏型高阶布拉格光栅,测试表明,在1540～1640 nm波长范围内,得到了大于10 dB的消光比,实现了高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的滤波效果.理论和实验都证明了光栅刻蚀深度的增大将有利于增加高阶布拉格光栅的耦合系数,以及光栅周期数的增加会引起更大的光栅损耗.
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| 关 键 词： | Si基光电子 高阶布拉格光栅 脊形波导 光刻 |
Corrugated High-order Bragg Grating on Silicon-on-insulator Ridge Waveguides Fabricated by Photolithography |
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| RAN Qi-jiang,HAN Pei-de,QUAN Yu-jun,GAO Li-peng,ZENG Fan-ping,ZHAO Chun-hua. Corrugated High-order Bragg Grating on Silicon-on-insulator Ridge Waveguides Fabricated by Photolithography[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2009, 30(3) |
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| Authors: | RAN Qi-jiang HAN Pei-de QUAN Yu-jun GAO Li-peng ZENG Fan-ping ZHAO Chun-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI |
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