|
|||||
|
|
| 氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌 | |
| 引用本文： | 张广英,吴爱民,秦福文,公发全,姜辛. 氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌[J]. 半导体光电, 2009, 30(4) |
| 作者姓名： | 张广英 吴爱民 秦福文 公发全 姜辛 |
| 作者单位： | 1. 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验窒,辽宁,大连,116024 2. 大连化学物理研究所,辽宁,大连,116023 3. 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验窒,辽宁,大连,116024;德国锡根大学,材料工程学院,德国,锡根,57056 |
| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金 |
| 摘 要： | /min.薄膜的粗糙度随着衬底温度和微波功率的增加而降低,粗糙度最低为0.89 nm,说明薄膜的表面质量较高. |
| 关 键 词： | 氮化硅薄膜 沉积速率 表面形貌 |
Deposition Rate and Surface Topography of SiN Films |
|
| ZHANG Guang-ying,WU Ai-min,QIN Fu-wen,GONG Fa-quan,JIANG Xin. Deposition Rate and Surface Topography of SiN Films[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2009, 30(4) | |
| Authors: | ZHANG Guang-ying WU Ai-min QIN Fu-wen GONG Fa-quan JIANG Xin |
| Abstract: | |
| Keywords: | ECR-PECVD |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |