| ZnS高场电子输运特性的Monte Carlo模拟研究 |
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| 引用本文： | 郭宝增,樊艳. ZnS高场电子输运特性的Monte Carlo模拟研究[J]. 半导体光电, 2009, 30(4): 546-549 |
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| 作者姓名： | 郭宝增 樊艳 |
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| 作者单位： | 河北大学,电子信息工程学院,河北,保定,071002;唐山学院,信息工程系,河北,唐山,063000 |
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| 基金项目： | 河北省教育厅科学研究计划项目 |
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| 摘 要： | 物线多能谷模型比全带模型计算更简单.
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| 关 键 词： | Monte Carlo 非抛物线 碰撞电离 ZnS |
Simulation Studies of ZnS High-field Electronic Transport Properties by Monte Carlo Approach |
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| GUO Bao-zeng,FAN Yan. Simulation Studies of ZnS High-field Electronic Transport Properties by Monte Carlo Approach[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2009, 30(4): 546-549 |
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| Authors: | GUO Bao-zeng FAN Yan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Monte Carlo ZnS |
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