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| RFMD开发出效率高达65%的75 W氮化镓功率晶体管 | |
| 引用本文： | 章从福.RFMD开发出效率高达65%的75 W氮化镓功率晶体管[J].半导体信息,2011(1). |
| 作者姓名： | 章从福 |
| 摘 要： | 日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是继最近140瓦特RF3934推出之后的续推产品,RF3934是RFMD的UPT系列中输出功率最高的器件。RFMD计划在2011年第一季度推出第三个氮化镓UPT器件,以扩大其氮化镓功率晶体管系列,为RFMD客户提供更多 |
| 关 键 词： | 瓦特 氮化嫁 高效率 射频功率晶体管 氮化镓 传导性 |
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