| 自组装制备硅纳米线阵列及其光致发光特性研究 |
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| 引用本文： | 李智伟,陈浩,宋华冰,余洲,杨治美,高艳丽,张云森,刘俊刚,龚敏,孙小松. 自组装制备硅纳米线阵列及其光致发光特性研究[J]. 半导体光电, 2009, 30(2): 215-219 |
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| 作者姓名： | 李智伟 陈浩 宋华冰 余洲 杨治美 高艳丽 张云森 刘俊刚 龚敏 孙小松 |
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| 作者单位： | 四川大学,材料科学与工程学院,成都,610064;四川大学,物理科学与技术学院,微电子科学与技术四川省重点实验室,成都,610064;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 基金项目： | 四川省科技厅重点研究项目 |
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| 摘 要： | 用微电化学催化腐蚀法制备了硅纳米线阵列,通过扫描电镜(SEM)观察了样品的表面形貌.用荧光光谱仪测量了有序硅纳米线阵列的光致发光特性,发现当激发波长增加时,有序硅纳米线阵列的光致发光峰位单调红移,发光强度也单调增强.对比多孔硅的发光机理和现有实验条件,对有序硅纳米线阵列可能的发光机理进行了讨论.
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| 关 键 词： | 微电化学氧化还原反应 硅纳米线阵列 多孔硅 光致发光光谱 扫描电镜 发光机理 |
Self-assembled Growth and Optical Emission of Silicon Nanowires Array |
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| LI Zhi-wei,CHEN Hao,SONG Hua-bing,YU Zhou,YANG Zhi-mei,GAO Yan-li,ZHANG Yun-sen,LIU Jun-gang,GONG Min,SUN Xiao-song. Self-assembled Growth and Optical Emission of Silicon Nanowires Array[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2009, 30(2): 215-219 |
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| Authors: | LI Zhi-wei CHEN Hao SONG Hua-bing YU Zhou YANG Zhi-mei GAO Yan-li ZHANG Yun-sen LIU Jun-gang GONG Min SUN Xiao-song |
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