| 晶体硅太阳能电池激光隔离pn结的研究 |
| |
| 引用本文： | 王玉林,张光春,艾凡凡,杨健,陈如龙,李果华. 晶体硅太阳能电池激光隔离pn结的研究[J]. 半导体技术, 2011, 36(4): 269-272. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.04.004 |
| |
| 作者姓名： | 王玉林 张光春 艾凡凡 杨健 陈如龙 李果华 |
| |
| 作者单位： | 江南大学理学院,江苏无锡,214122;尚德电力控股有限公司,江苏无锡214028;江苏省(尚德)光伏技术研究院,江苏无锡214028;尚德电力控股有限公司,江苏无锡,214028;江南大学理学院,江苏无锡214122;江苏省(尚德)光伏技术研究院,江苏无锡214028 |
| |
| 摘 要： | 在晶体硅太阳能电池生产过程中,为了避免过低的填充因子,电池边缘多余的pn结必须去掉。首先利用激光温度场在硅材料中的分布,得出硅片在纳秒级脉冲激光作用下的融化峰值功率阈值。然后根据此阈值选择合适的激光器进行晶体硅太阳能电池激光隔离pn结的研究。通过激光隔离槽的3D形貌及测试太阳能电池的反向电流和并联电阻寻找最佳激光隔离的工艺参数。通过实验证明,纳秒级脉冲激光隔离能达到并超过化学隔离及等离子隔离的效果,为太阳能电池pn结隔离提供一种经济、环保的方案。
|
| 关 键 词： | 晶体硅太阳能电池 激光隔离 纳秒激光 并联电阻 漏电 |
Study of Laser Edge Isolation on Crystalline Silicon Solar Cells |
| |
| Wang Yulin,Zhang Guangchun,Ai Fanfan,Yang Jian,Chen Rulong,Li Guohua. Study of Laser Edge Isolation on Crystalline Silicon Solar Cells[J]. Semiconductor Technology, 2011, 36(4): 269-272. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.04.004 |
| |
| Authors: | Wang Yulin Zhang Guangchun Ai Fanfan Yang Jian Chen Rulong Li Guohua |
| |
| Affiliation: | Wang Yulin1,Zhang Guangchun2,3,Ai Fanfan2,Yang Jian2,Chen Rulong2,Li Guohua1,3(1.School of Science,Jiangnan University,Wuxi 214122,China,2.Suntech Power Holdings Co.,Ltd.,Wuxi 214028,3.Jiangsu(Suntech) Institute for Photovoltaic Technology,China) |
| |
| Abstract: | In most industrial type solar cell processes the edge isolation is an important step,in order to avoid very low fill factors.The threshold value of peak power for nano-second's laser through calculating the distribution of laser temperature in silicon wafer is got firstly.According to the threshold value,an suitable laser is picked for experiment.The best isolation parameter by analyzing 3D feature of the laser groove and testing inverse current and parallel resistance is got.Through the experiments it is c... |
| |
| Keywords: | crystalline silicon solar cells laser isolation nano-second laser parallel resistance shunting |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
