基于HgCdTe的新一代红外探测器

近十年来,基于HgCdTe的致冷型甚高性能红外探测器技术不断取得进 步,今天已达到成熟的工业水平,这使得人们能以越来越合理的成本生产出可用规格 (320×240元, 640×480元)的探测器列阵。与此同时,更为复杂的(百万元列阵、多光 谱列阵和高清晰度线阵等)传感器样品也相继出现,这说明这种高性能的探测器技术 具有巨大的潜力可挖。本文介绍法国研究的红外探测器技术,并给出已投入工业生产 的相关产品的工艺状况,然后重点介绍法国信息技术和电子技术实验室(LETI)最近 研制的先进样品(双色列阵、百万元列阵等)的性能。从这些样品上测得的性能已接近 理论所预计的极限值。