| 基于SOI-SONOS存储器的高速辐照加固灵敏放大器设计 |
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| 引用本文： | 李侃,伍冬,王雪强,谯凤英,邓宁,潘立阳.基于SOI-SONOS存储器的高速辐照加固灵敏放大器设计[J].微电子学与计算机,2010,27(5). |
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| 作者姓名： | 李侃 伍冬 王雪强 谯凤英 邓宁 潘立阳 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学,微电子学研究所,北京,100084
2. 清华大学,微电子学研究所,北京,100084;清华大学,信息科学技术国家实验室,北京,100084 |
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| 摘 要： | 总剂量辐照下,存储单元和MOS管阈值电压均会发生漂移,引起灵敏放大器性能退化.基于0.6μm SOI工艺,设计了一种用于SONOS EEPROM存储器中的高速、辐照加固的新型灵敏放大器.该电路中采样反相器和参考支路采用电路补偿技术,以达到抗辐照效果.双支路预充技术用于提高读取速度.仿真结果表明灵敏放大器中采样反相器噪声容限,以及参考电流基本不受辐照引起的阈值电压漂移的影响.此外,辐照后新型灵敏放大器电路延迟时间仅为9.16ns,与传统单支路预充结构相比,延迟时间缩短27%.
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| 关 键 词： | 灵敏放大器 高速 总剂量辐照 辐照加固 |
Novel High-Speed Radiation Hardened Sense Amplifier for SOI Based SONOS Memory |
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| LI Kan,WU Dong,WANG Xue-qiang,QIAO Feng-ying,DENG Ning,PAN Li-yang.Novel High-Speed Radiation Hardened Sense Amplifier for SOI Based SONOS Memory[J].Microelectronics & Computer,2010,27(5). |
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| Authors: | LI Kan WU Dong WANG Xue-qiang QIAO Feng-ying DENG Ning PAN Li-yang |
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| Affiliation: | LI Kan1,WU Dong1,2,WANG Xue-qiang1,QIAO Feng-ying1,DENG Ning1,PAN Li-yang1,2(1 Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China,2 Tsinghua National Laboratory of Information Science , Technology,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SONOS |
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