| 金属预置层后硒化法制备CIGS薄膜的研究进展 |
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| 引用本文： | 王 影,周爱军,戴新义,冯利东,徐晓辉,杜敬芳,李晶泽. 金属预置层后硒化法制备CIGS薄膜的研究进展[J]. 稀有金属材料与工程, 2014, 43(2): 506-512 |
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| 作者姓名： | 王 影 周爱军 戴新义 冯利东 徐晓辉 杜敬芳 李晶泽 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(21073029, 51102039, 51211140045)；新世纪优秀人才支持计划(NCET-10-0296)；西部之光人才培养计划联合学者项目(LHXZ200902)；中国博士后科学基金(20100481375, 201104640)；中央高校基本科研业务费(103.1.2 E022050205) |
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| 摘 要： | 系统综述了国内外采用金属预置层后硒化法制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究进展,重点从预置层制备过程中靶材的选择、叠层方式以及后硒化过程中硒源种类和硒化方式的选择等几个方面对各种工艺的优点、存在的问题和可能的解决方案进行讨论,并对金属预置层后硒化法的发展前景和趋势进行了展望。
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| 关 键 词： | 金属预置层 硒化 CIGS 薄膜太阳电池 光吸收层 |
| 收稿时间： | 2013-01-15 |
A Review of Selenization of Metal Precursors for the Deposition of CIGS Thin Film |
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| Wang Ying,Zhou Aijun,Dai Xinyi,Feng Lidong,Xu Xiaohui,Du Jingfang and Li Jingze. A Review of Selenization of Metal Precursors for the Deposition of CIGS Thin Film[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2014, 43(2): 506-512 |
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| Authors: | Wang Ying Zhou Aijun Dai Xinyi Feng Lidong Xu Xiaohui Du Jingfang Li Jingze |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | This paper reviewed the recent development of the Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) layer in terms of the target sources and the layer structures of the as-deposited metallic precursors, the Se-sources and selenization techniques for the post-selenization. The advantages, problems and possible solutions of each technique involved were discussed. |
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| Keywords: | metal precursor selenization Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) thin film solar cell light absorber layer |
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