首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

电源管理芯片中过热保护电路设计
引用本文:谭传武,陈卫兵,邹豪杰,李忠良,罗天资.电源管理芯片中过热保护电路设计[J].湖南工业大学学报,2009,23(5):31-34.
作者姓名:谭传武  陈卫兵  邹豪杰  李忠良  罗天资
作者单位:湖南工业大学,计算机与通信学院,湖南,株洲,412008
基金项目:湖南省教育厅科研基金资助项目 
摘    要:利用三极管基-射极电压的负温度特性,设计了一种用于电源管理芯片中的过热保护电路.基于BCD 0.6 μm工艺库模型,采用HSPICE仿真软件进行模拟验证,结果表明:当温度超过150 ℃时,电路输出信号发生翻转,电源管理芯片停止工作;当温度降至130℃时,芯片恢复工作.在电源电压工作范围2.5~5.5 V内,过温保护阈值变化量为0.7℃,迟滞阈值变化量为0.9 ℃,迟滞范围20℃.因此,该过热保护电路具有温度灵敏度高、关闭和开启温度点受电源影响较小、电路结构简单、版图面积小和功耗低等特点,适合集成在电源管理芯片中.

关 键 词:电源管理  热关断  过热保护
收稿时间:7/8/2009 12:00:00 AM

Design of a Over-Temperature Protection Circuit for Power Management Chip
Tan Chuanwu,Chen Weibing,Zou Haojie,Li Zhongliang and Luo Tianzi.Design of a Over-Temperature Protection Circuit for Power Management Chip[J].Journal of Hnnnan University of Technology,2009,23(5):31-34.
Authors:Tan Chuanwu  Chen Weibing  Zou Haojie  Li Zhongliang and Luo Tianzi
Abstract:
Keywords:
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《湖南工业大学学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《湖南工业大学学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号