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BESⅢ飞行时间电子学在线刻度电路
引用本文:封常青,刘树彬,黄亚齐,安琪.BESⅢ飞行时间电子学在线刻度电路[J].核技术,2010,33(6).
作者姓名:封常青  刘树彬  黄亚齐  安琪
作者单位:中国科学技术大学近代物理系,中国科学院核探测技术与核电子学重点实验室,合肥,230026
基金项目:国家大科学工程北京正负电子对撞机升级项目,国家自然科学基金 
摘    要:本文介绍了BESⅢ(北京正负电子对掩机第三代谱仪)飞行时间(TOF)读出电子学在线刻度电路.该电路被集成在读出电子学插件上,用VME总线接口在线控制高精度DAC和高速模拟开关,产生幅度(电荷)可程控的指数衰减脉冲,对电子学通道进行时间测量检测和电荷测量的非线性校准,有大于20倍的电荷动态范围和好于10 bit的精度,能有效实现电荷非线性的校准功能.经测试,刻度修正后TOF电子学电荷测量的积分非线性小于0.69%,远好于修正前2%的性能指标,满足设计要求,目前该刻度电路已成功应用于BESⅢ工程.

关 键 词:在线刻度  BESⅢ  TOF电子学
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