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S波段低噪声放大器的分析与设计
引用本文:张士化,何子述. S波段低噪声放大器的分析与设计[J]. 现代电子技术, 2005, 28(18): 75-76,83
作者姓名:张士化  何子述
作者单位:电子科技大学,电子工程学院,四川,成都,610054
摘    要:介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理和流程。对影响电路稳定性和噪声性能的、易被忽视的因素进行了详细分析。文中重点分析实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素进行了软件仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终的微带电路。放大器设计为两极结构,采用GaAsFET器件和双电源电路设计形式,达到了预定的技术指标,工作带宽2.0~4.0GHz,增益G〉22dB,噪声系数NF〈0.7dB。

关 键 词:低噪声放大器 CAD 噪声系数 匹配
文章编号:1004-373X(2005)18-075-02
收稿时间:2005-05-30
修稿时间:2005-05-30

Analysis and Design of the S Band Low Noise Amplifier
Zhang Shihua,HE Zishu. Analysis and Design of the S Band Low Noise Amplifier[J]. Modern Electronic Technique, 2005, 28(18): 75-76,83
Authors:Zhang Shihua  HE Zishu
Abstract:
Keywords:low noise amplifier   CAD  noise figure   match
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