|
|||||
|
|
| 聚偏氟乙烯共聚物薄膜铁电性能和电容特性研究 | |
| 作者姓名： | 宋江闯赵会玲 |
| 作者单位： | 华东理工大学化学与分子工程学院; |
| 摘 要： | 制备了以聚苯乙烯磺酸(PSSH)为上下界面层的聚(偏氟乙烯)(PVDF)二元共聚物聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)[P(VDF-TrFE)]及聚(偏氟乙烯-氯氟乙烯)[P(VDF-CTFE)]的三明治结构电容器,研究了P(VDF-TrFE)和P(VDF-CTFE)2两种共聚物薄膜的铁电性能和电容特性。结果表明,厚度为60nm的Ti/PSSH/P(VDF-TrFE)/PSSH/Ti超薄薄膜表现出优异的铁电性能;而厚度为100nm的Ti/PSSH/P(VDF-CTFE)/PSSH/Ti薄膜表现出较好的电容特性,存储能量密度高达60J/cm3。研究结果为其在电子器件上的应用提供理论指导。 |
| 关 键 词： | 铁电性 聚(偏氟乙烯-三氟乙烯) 聚(偏氟乙烯-氯氟乙烯) 电容性 超薄薄膜 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |