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Cd-O共掺杂ZnTe第一性原理计算
引用本文:李文明,吴一,刘晨吉,郑树凯,闫小兵. Cd-O共掺杂ZnTe第一性原理计算[J]. 材料科学与工程学报, 2015, 33(3)
作者姓名:李文明  吴一  刘晨吉  郑树凯  闫小兵
作者单位:1. 河北大学电子信息工程学院,河北保定071000;河北大学计算材料与器件模拟研究中心,河北保定071000;2. 河北大学电子信息工程学院,河北保定,071000
基金项目:国家自然科学基金,国家留学基金,国家级大学生创新训练项目
摘    要:采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法计算了未掺杂,Cd、O单掺杂及Cd-O共掺杂ZnTe的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后的ZnTe晶格常数发生变化,其中Cd掺杂的ZnTe晶格失配最大;三种掺杂均使ZnTe禁带宽度减小,并引入杂质能级,其中O掺杂和Cd-O共掺杂的ZnTe的禁带宽度变化较为明显,同时掺杂后ZnTe吸收带边出现不同程度的红移。

关 键 词:ZnTe  共掺杂  密度泛函理论

First-principles study on Cd-O Codoped ZnTe
LI Wen-ming,WU Yi,LIU Chen-ji,ZHENG Shu-kai,YAN Xiao-bing. First-principles study on Cd-O Codoped ZnTe[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2015, 33(3)
Authors:LI Wen-ming  WU Yi  LIU Chen-ji  ZHENG Shu-kai  YAN Xiao-bing
Abstract:
Keywords:ZnTe  Codoped  Density functional theory
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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