| 氧空位对Ga_(1.5)In_(0.5)O_3透明导电氧化物性能的影响 |
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| 引用本文： | 赵银女. 氧空位对Ga_(1.5)In_(0.5)O_3透明导电氧化物性能的影响[J]. 材料科学与工程学报, 2015, 33(3): 396-400 |
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| 作者姓名： | 赵银女 |
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| 作者单位： | 鲁东大学教务处,山东烟台,264025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，山东省研究生教育创新计划资助项目 |
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| 摘 要： | Ga1.5In0.5O3是一种潜在的紫外透明导电材料。用第一性原理计算了含氧空位的Ga1.5In0.5O3的结构参数、生成焓、能带结构、态密度、光吸收和光反射。氧空位的位置影响Ga1.5In0.5O3化合物的晶格常数和生成焓,含氧空位的Ga1.5In0.5O3是间接带隙半导体,其带隙宽度较本征Ga1.5In0.5O3带隙值变宽。氧空位VO(1)、VO(2)和VO(3)在Ga1.5In0.5O3中分别引入0.237eV、0.239eV和1.384eV的施主杂质能级,在吸收光谱中出现杂质吸收现象。氧空位降低Ga1.5In0.5O3吸收主峰和反射主峰的强度,在近红外区含VO(1)和VO(2)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较大,含VO(3)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较小。
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| 关 键 词： | Ga2(1-x)In2xO3化合物 氧空位 电子结构 第一性原理 |
Effect of Oxygen Vacancy on Property of Ga1.5In0.5O3 Transparent Conductive Oxides |
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| ZHAO Yin-nv. Effect of Oxygen Vacancy on Property of Ga1.5In0.5O3 Transparent Conductive Oxides[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2015, 33(3): 396-400 |
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| Authors: | ZHAO Yin-nv |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ga2(1-x)In2xO3 compound oxygen vacancy electronic structure first-principles |
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