| 衬底温度对共蒸法制备CIGS薄膜结构和形貌的影响 |
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| 引用本文： | 杨伟锋,孙永健,郭射宇. 衬底温度对共蒸法制备CIGS薄膜结构和形貌的影响[J]. 材料科学与工程学报, 2015, 33(3): 460-464 |
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| 作者姓名： | 杨伟锋 孙永健 郭射宇 |
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| 作者单位： | 1. 南京工业大学,江苏南京,210009;2. 苏州羿日新能源有限公司,江苏苏州,215200 |
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| 摘 要： | 采用一步共蒸法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜,研究讨论不同衬底温度条件对制得薄膜结构和形貌的影响。薄膜的结构和形貌分别利用X射线衍射(XRD)与扫描电子显微镜(SEM)进行检测。结果表明,衬底温度对CIGS薄膜的生长有很大的影响,当温度为250℃时,开始有CIGS晶相生成;随着温度的升高晶体颗粒逐渐增大;当温度达到450℃时,生成了结晶度较好(112)择优取向的CuIn0.7Ga0.3Se2相,制得的CIGS薄膜初步达到制备CIGS电池的条件。
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| 关 键 词： | CIGS 一步法 薄膜太阳电池 衬底温度 |
Effects of Substrate Temperature on Structure and Morphology of CIGS Thin Films by Four Sources Co-evaporation Process |
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| YANG Wei-feng,SUN Yong-jian,GUO She-yu. Effects of Substrate Temperature on Structure and Morphology of CIGS Thin Films by Four Sources Co-evaporation Process[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2015, 33(3): 460-464 |
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| Authors: | YANG Wei-feng SUN Yong-jian GUO She-yu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CIGS one-stage process thin film solar cell substrate temperature |
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