| 应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究 |
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| 引用本文： | 段晓峰,刘海华,徐秋霞,刘邦贵.应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究[J].电子显微学报,2007,26(4):312-321. |
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| 作者姓名： | 段晓峰 刘海华 徐秋霞 刘邦贵 |
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| 作者单位： | 1. 北京电子显微镜实验室,中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080
2. 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征.由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变.利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因.
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| 关 键 词： | 应变硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 大角度会聚束电子衍射 |
| 文章编号： | 1000-6281（2007）04-0312-10 |
| 修稿时间： | 2007-05-09 |
LACBED study of strain in strained-Si PMOSFET |
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| DUAN Xiao-feng,LIU Hai-hua,XU Qiu-xia,LIU Bang-gui.LACBED study of strain in strained-Si PMOSFET[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2007,26(4):312-321. |
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| Authors: | DUAN Xiao-feng LIU Hai-hua XU Qiu-xia LIU Bang-gui |
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| Affiliation: | 1.Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China; 2. Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | strained-silicon metal-oxide-semiconductor field effect transistor large-angle convergent-beam electron diffraction |
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