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| 射频磁控溅射原位制备高Tc钇钡铜氧超导薄膜 | |
| 引用本文： | 顾爱国,罗维根.射频磁控溅射原位制备高Tc钇钡铜氧超导薄膜[J].电子元件与材料,1991,10(3):13-16. |
| 作者姓名： | 顾爱国 罗维根 |
| 作者单位： | 中科院上海硅酸盐所 (顾爱国)，中科院上海硅酸盐所(罗维根) |
| 摘 要： | 用粉末靶射频磁控溅射的方法在650℃的(110)SrTiO_3衬底上成功地原位制备出起始转变温度96K,零电阻温度88.2K,用约0.4mm宽的桥在77K零磁场下临界电流密度达6×10~5A/cm~2,高度定向的钇钡铜氧超导薄膜,膜的厚度为0.22μm。发现控制溅射工艺参数并在溅射后进行原位热处理是获得高T_c超导薄膜的关键。 |
| 关 键 词： | 粉末靶 射频磁控溅射 原位制备 钇钡铜氧 超导薄膜 |
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